Tras el reciente desarrollo del Transistor de Base de Grafeno (GBT), se propone un nuevo modelo eléctrico compacto para dispositivos GBT. El modelo del transistor incluye el modelo de capacitancia cuántica para obtener un potencial de base autoconsistente. También utiliza una ecuación de corriente de transferencia versátil para ser compatible con las diferentes configuraciones posibles de GBT y tener en cuenta las condiciones de alta inyección gracias a un modelo de carga basado en tiempo de tránsito. Finalmente, el modelo de señal grande desarrollado ha sido implementado en código Verilog-A y puede ser utilizado para simulación en un entorno de diseño de circuitos estándar como Cadence o ADS. Este modelo ha sido verificado utilizando simulación numérica avanzada.