Para mejorar las propiedades electrónicas del grafeno, se han estudiado muchas técnicas de dopaje. En este trabajo investigamos la estructura electrónica y molecular del grafeno dopado utilizando la teoría del funcional de la densidad, e informamos de los efectos de los dopantes bencénicos a base de aminas adsorbidos en el grafeno. Se realizaron cálculos de teoría del funcional de la densidad (DFT) para determinar el papel de los compuestos aromáticos basados en aminas en el dopaje del grafeno. Estas moléculas orgánicas se unen al grafeno mediante interacciones de largo alcance, como las interacciones π-π y los enlaces de hidrógeno C-H⋯π. Comparamos las estructuras electrónicas del grafeno prístino y del grafeno dopado para comprender la estructura electrónica del grafeno dopado a nivel molecular. Asimismo, se obtuvieron funciones de trabajo del grafeno dopado a partir de cálculos del potencial electrostático. Se observó una disminución de la función de trabajo cuando los compuestos orgánicos basados en aminas se adsorbían sobre el grafeno. Dado que estos sistemas se basan en la fisisorción, no se produjo ningún cambio evidente en la estructura de bandas en el punto K del nivel de Fermi tras el dopaje. Sin embargo, los dopantes orgánicos basados en aminas sí cambiaron los niveles absolutos de energía de Fermi. En este estudio, demostramos que los niveles de Fermi del grafeno dopado se veían afectados por el nivel de energía HOMO de los dopantes y por la transferencia de carga intermolecular entre las moléculas adsorbidas y el grafeno.