Consideramos el modelo de deriva-difusión con generación de avalancha para la evolución en el tiempo de las densidades de electrones y huecos n, p acopladas con el potencial electrostático ψ en un dispositivo semiconductor. También suponemos que el término de difusión es degenerado. Se obtiene la existencia de soluciones locales débiles para este problema de valores de contorno mixto Dirichlet-Neumann.